甘肃电网“两个细则”考核补偿结果的通知

甘肃电网“两个细则”考核补偿结果的通知

网友表示，甘肃自己家的狗狗就是被它吓到的，因为它的样子实在是太吓人了。

3）基于一种新型的平面固液固(In-Plane-Solid-Liquid-Solid,IPSLS)生长机制，电网的通利用非晶薄膜（例如非晶硅，电网的通a-Si）作为前驱体，直接将金属催化液滴限制于平面中，生长出自回避、不交叉的平面半导体纳米线。基于此IPSLS生长模式，细则可以方便地实现平面同质／异质定向外延生长，还能够利用可以方便定义的台阶边缘对纳米线进行精准定位引导。

以上综述内容近期发表于AdvancedMaterials 31,1903945(2019)DOI:10.1002/adma.201903945,PlanarGrowth,Integration,andApplicationsofSemiconductingNanowires，考核https://doi.org/10.1002/adma.201903945,孙莹同学，考核董泰阁同学为共同第一作者，余林蔚教授和徐骏教授为通信作者。在IPSLS纳米线器件应用方面，补偿课题组在近期成功实现了可定位集成的平面纳米线阵列生长制备技术和高性能场效应薄膜晶体管（TFT）器件，补偿展示了高开关比Ion/Ioff5x108，低亚阈值摆幅100mV/dec和较高的空穴迁移率80 cm2/Vs以及反相器逻辑功能。结果图2：利用衬底表面纳米孔径引导沟道实现的平面硅纳米线生长和原型电学器件。

2）其次，甘肃基于VLS生长模式，利用晶体衬底本身的晶格外延方向实现同质/异质定向引导。这个转变的发生出现在半导体纳米线研究日益成熟的大背景下，电网的通一方面体现了产业升级对采用高性能纳米线结构/技术的迫切需求，电网的通另一方面也反应了学术界对规模化可控制备和集成的高度关注和重视。

面向规模化器件应用，细则其主要技术挑战在于如何高效制备微纳孔洞阵列，细则由于纳米线的直径直接由孔径大小调控，制备直径在几十到百纳米量级的孔洞往往需要昂贵的高精度电子束EBL刻蚀工艺。

（注：考核以上图片均来自于相关论文，引文参见文中对应引用）本文由南京大学余林蔚、徐骏教授课题组供稿。补偿图4：超薄2D材料中空位的XPS表征。

结果(e)水分子吸附的MoS2空位单元。甘肃(e)V2O5中氧原子类型图示和Li+可能的扩散路径。

电网的通超薄2D材料的空位工程受到了越来越多的关注。细则(c)TiO2中BBOV和Ti5c位的示意图。